Süni intellekt sistemlərində istifadə olunan yaddaş texnologiyalarının inkişafında mühüm nəticə əldə edilib. Çinli alimlər 10 milyard yazma dövrünə tab gətirə bilən yeni yaddaş dizaynı hazırlayıblar. Bu göstərici əvvəlki alüminium-skandium-nitrid (AlScN) əsaslı yaddaşların imkanlarından təxminən 100 dəfə yüksəkdir.

Demokrat.az xəbər verir ki, tədqiqat Xidian Universiteti, Honq-Konq Şəhər Universiteti və Fudan Universitetinin alimləri tərəfindən aparılıb. Nəticələr “Science” jurnalında dərc olunan araşdırmada təqdim edilib. Alimlər əsas diqqəti yaddaş materialının daxilində baş verən atom səviyyəsindəki proseslərə yönəldiblər.

Son illərdə AlScN kimi vurtzit ferroelektrik materiallar yaddaş çipləri üçün perspektivli texnologiyalardan biri hesab olunur. Bu materiallar yüksək sürətli işləmə, aşağı enerji sərfiyyatı və mövcud yarımkeçirici istehsal texnologiyalarına uyğunluq baxımından üstünlüklərə malikdir.

Lakin bu yaddaşların əsas problemlərindən biri uzunmüddətli davamlılıq olub. Əvvəlki sınaqlarda AlScN əsaslı yaddaş hüceyrələri təxminən 100 milyon yazma əməliyyatından sonra sıradan çıxırdı.

Yeni araşdırmada alimlər problemin mənbəyini materialın atom quruluşunda axtarıblar. Məlum olub ki, bəzi azot atomlarının çatışmazlığı nəticəsində materialın daxilində “azot boşluqları” yaranır. Yaddaş hüceyrəsi dəfələrlə işə salındıqda bu boşluqlar hərəkət edərək müəyyən bölgələrdə toplanır.

Nəticədə elektrik cərəyanının keçməsi üçün arzuolunmaz yollar formalaşır. Elektrik sızması artdıqca yaddaş hüceyrəsi tədricən zədələnir və nəhayət fəaliyyətini itirir.

Tədqiqatçılar yeni dizaynla materialdakı azot boşluqlarının sayını azaltmağa nail olublar. Bunun nəticəsində elektrik sızmasının yaranması əhəmiyyətli dərəcədə gecikib və yaddaş hüceyrəsinin davamlılığı 10 milyard yazma dövrünə qədər yüksəlib.

Alimlər hesab edirlər ki, texnologiyanın kommersiyalaşdırılması yüksək sıxlıqlı və az enerji sərf edən yaddaşların inkişafına imkan yarada bilər. Xüsusilə böyük süni intellekt sistemləri, məlumat mərkəzləri və yüksək hesablama gücü tələb edən server infrastrukturlarında belə yaddaşların gələcəkdə əhəmiyyətli rol oynaya biləcəyi gözlənilir.

Jalə